本节使用candence软件，基于TSMC的0.35mm工艺对电路进行进一步的仿真和调试。电路如图4.1所示。

　　图 4.1 Banba结构的电路仿真图

　　1. 温度系数调整

　　实测结果显示，输出电压Vref的温度系数在原始参数下变化很大，这是因为计算时将所有器件考虑为理想状态，这在实际电路仿真中是不可能的，实际MOS管和晶体管都有计算时难以考虑的二级效应，电容、电阻等也非理想。所以要对影响温度系数的参数进行调整，才能达到优温度系数。

　　另外一个重要影响是运放的失调电压，实际运放的开环增益是有限的并非无穷大，所以Vx和Vy的电压不会完全相等。所以，在实际电路中对Banba结构进行了适当修改，使用两级PNP管串联。如图3.1中，根据理论分析得到式(4.1)。

　　(4.1)

　　M1管的宽长比m越大，M1管通过电流镜得到的电流越大，失调电压Vos的影响越小。温度系数还和电阻R2/R3比值有关。

　　1).先对M1管的宽长比进行扫描，结果如图4.2。

　　图 4.2 M1管不同宽长比下输出电压随温度变化曲线

　　为了更直观的显示好的宽长比，根据PPM计算公式(4.2)

　　(4.2)

　　使用cadence里面的计算工具得到图4.3，

　　图4.3 M1管不同宽长比下的PPM值

　　所以M1管的宽长比为18u/0.5u时PPM小，为3.508ppm/℃。 哪里有射频培训机构